N-kanaaltransistor IRFB3607, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 75V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3070pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 310A. Kanaaltype: N. Kosten): 280pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 16 ns. Td(uit): 43 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14