N-kanaaltransistor IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V

N-kanaaltransistor IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.24€
5-24
1.94€
25-49
1.69€
50-99
1.48€
100+
1.21€
+45 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 106

N-kanaaltransistor IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V. Afvoerbronspanning (Vds): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 3.3M Ohms. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4520pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 620A. Kanaaltype: N. Kosten): 500pF. Maximale afvoerstroom: 160A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 40 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 31 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 230W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRFB3306PBF
35 parameters
Afvoerbronspanning (Vds)
60V
Aan-weerstand Rds Aan
3.3M Ohms
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
160A
Idss (max)
250uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4520pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Functie
Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
620A
Kanaaltype
N
Kosten)
500pF
Maximale afvoerstroom
160A
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
230W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
15 ns
Td(uit)
40 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
31 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
230W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies