N-kanaaltransistor IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

N-kanaaltransistor IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.70€
5-24
2.33€
25-49
2.07€
50-99
1.86€
100+
1.60€
Hoeveelheid in voorraad: 13

N-kanaaltransistor IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.082 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 2370pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 124A. Kanaaltype: N. Kosten): 390pF. Markering op de kast: FB32N20D. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 16 ns. Td(uit): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRFB31N20D
33 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
31A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.082 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
200V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
2370pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Functie
SMPS, hoogfrequente DC-DC-converters
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
124A
Kanaaltype
N
Kosten)
390pF
Markering op de kast
FB32N20D
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
16 ns
Td(uit)
26 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
200 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier