N-kanaaltransistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanaaltransistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.37€
5-24
3.83€
25-49
3.56€
50-99
3.32€
100+
2.96€
Hoeveelheid in voorraad: 15

N-kanaaltransistor IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.21 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 2870pF. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: nee. ID s (min): 50uA. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 3480pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 22 ns. Td(uit): 45 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRFB20N50K
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.21 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
2870pF
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
50uA
Id(imp)
80A
Kanaaltype
N
Kosten)
3480pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
280W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
22 ns
Td(uit)
45 ns
Technologie
SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
520 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier