N-kanaaltransistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V

N-kanaaltransistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.53€
5-24
2.28€
25-49
2.06€
50-99
1.85€
100+
1.50€
Hoeveelheid in voorraad: 15

N-kanaaltransistor IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.52 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1423pF. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 52nC. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: N. Kosten): 208pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 32 ns. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRFB11N50A
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.52 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1423pF
Functie
Snelle schakelaar, lage poortlading 52nC
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaaltype
N
Kosten)
208pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
170W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
32 ns
Trr-diode (min.)
510 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Vishay