N-kanaaltransistor IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.142 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 760pF. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 88A. Kanaaltype: N. Kosten): 170pF. Markering op de kast: IRF8707G. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. RoHS: ja. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 7.3 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14