N-kanaaltransistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V

N-kanaaltransistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.89€
5-24
1.62€
25-49
1.45€
50-99
1.34€
100+
1.18€
+5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 193

N-kanaaltransistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 63nC. Aftapstroom: 8A, 5.1A. Afvoerbronspanning: 500V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1300pF. Conditionering: tubus. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaaltype: N. Kosten): 310pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.85 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 49 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 125W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27

Technische documentatie (PDF)
IRF840
37 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
4.8A
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.85 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
63nC
Aftapstroom
8A, 5.1A
Afvoerbronspanning
500V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1300pF
Conditionering
tubus
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
32A
Kanaaltype
N
Kosten)
310pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Op de staat weerstand
0.85 Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
125W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
49 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
460 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
125W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IRF840