| Hoeveelheid in voorraad: 43 | 
      N-kanaaltransistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V
| +5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Equivalentie beschikbaar | |
| Hoeveelheid in voorraad: 193 | 
N-kanaaltransistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 63nC. Aftapstroom: 8A, 5.1A. Afvoerbronspanning: 500V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1300pF. Conditionering: tubus. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaaltype: N. Kosten): 310pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.85 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 49 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 125W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27