N-kanaaltransistor IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanaaltransistor IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.18€
5-24
1.05€
25-49
0.91€
50-99
0.82€
100+
0.63€
Hoeveelheid in voorraad: 112

N-kanaaltransistor IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 360pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaaltype: N. Kosten): 92pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8 ns. Td(uit): 33 ns. Technologie: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF820
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
1.6A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
3 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
360pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
8A
Kanaaltype
N
Kosten)
92pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
50W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
8 ns
Td(uit)
33 ns
Technologie
Power MOSFET
Trr-diode (min.)
260 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Vishay