N-kanaaltransistor IRF8010, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3850pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 320A. Kanaaltype: N. Kosten): 480pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 260W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 61 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27