N-kanaaltransistor IRF7831TRPBF, SO8, 30 v

N-kanaaltransistor IRF7831TRPBF, SO8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-24
2.27€
25+
1.89€
Hoeveelheid in voorraad: 2637

N-kanaaltransistor IRF7831TRPBF, SO8, 30 v. Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6240pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 21A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Markering van de fabrikant: F7831. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.35V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 17 ns. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF7831TRPBF
16 parameters
Behuizing
SO8
Afvoerbronspanning Uds [V]
30 v
Aantal aansluitingen
8:1
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0036 Ohms @ 20A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
6240pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
21A
Inschakeltijd ton [nsec.]
18 ns
Markering van de fabrikant
F7831
Maximale dissipatie Ptot [W]
2.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
2.35V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
17 ns
Origineel product van fabrikant
Infineon