N-kanaaltransistor IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 770pF. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 88A. Kanaaltype: N. Kosten): 190pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.9ns. Td(uit): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 31us. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14