N-kanaaltransistor IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Functie: geïntegreerde schakeling voor DC-DC-converters. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 30uA. Id(imp): 66A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. RoHS: ja. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 25 ns. Technologie: HEXFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14