N-kanaaltransistor IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v

N-kanaaltransistor IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.87€
5-49
0.72€
50-99
0.63€
100-249
0.57€
250+
0.47€
+100 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 64

N-kanaaltransistor IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Behuizing: SO. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Aanval: 9.5nC. Aftapstroom: 13A. Afvoerbronspanning: 30V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1210pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 95. Functie: Ultra-lage poortimpedantie. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 100A. Kanaaltype: N. Kosten): 270pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Op de staat weerstand: 10M Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V. Td(aan): 8.7 ns. Td(uit): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Thermische weerstand: 50K/W. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 2.5W. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF7413Z
40 parameters
Behuizing
SO
Binnendiameter (T=100°C)
9.2A
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
150uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.008 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Aanval
9.5nC
Aftapstroom
13A
Afvoerbronspanning
30V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1210pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
95
Functie
Ultra-lage poortimpedantie
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
100A
Kanaaltype
N
Kosten)
270pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Op de staat weerstand
10M Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2.5W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V
Td(aan)
8.7 ns
Td(uit)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Thermische weerstand
50K/W
Trr-diode (min.)
24 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
2.5W
Vgs(th) max.
2.25V
Vgs(th) min.
1.35V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier