N-kanaaltransistor IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1600pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 12uA. Id(imp): 58A. Kanaaltype: N. Kosten): 680pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8.6 ns. Td(uit): 52 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Chipcad. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14