| Hoeveelheid in voorraad: 127 |
N-kanaaltransistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.93€
5-49
0.71€
50-94
0.67€
95+
0.59€
| +1052 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Equivalentie beschikbaar | |
| Hoeveelheid in voorraad: 92 |
N-kanaaltransistor IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (afvoer naar bronspanning): 55V. Behuizing: SO8. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 2. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 95. Functie: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 4.7A. Informatie: -. Kanaaltype: N. Kenmerken: -. MSL: -. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Montagetype: SMD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Polariteit: MOSFET N. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Spanning: -. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27
IRF7341
19 parameters
Vdss (afvoer naar bronspanning)
55V
Behuizing
SO8
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
2
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
95
Functie
tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns
Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom)
4.7A
Kanaaltype
N
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Montagetype
SMD
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2W
Polariteit
MOSFET N
Poort-/bronspanning Vgs max
-20V
RoHS
ja
Serie
HEXFET
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Origineel product van fabrikant
International Rectifier