N-kanaaltransistor IRF7313, SO, SO-8
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.94€
5-49
0.79€
50-99
0.69€
100-199
0.62€
200+
0.54€
| +5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 1936 |
N-kanaaltransistor IRF7313, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 2. Aanval: 22nC. Aftapstroom: 6.5A. Afvoerbronspanning: 30V. Equivalenten: IRF7313PBF. Functie: N MOSFET-transistor. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Polariteit: unipolair. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Technologie: HEXFET®. Thermische weerstand: 62.5K/W. Vermogen: 2W. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14
IRF7313
17 parameters
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
2
Aanval
22nC
Aftapstroom
6.5A
Afvoerbronspanning
30V
Equivalenten
IRF7313PBF
Functie
N MOSFET-transistor
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Polariteit
unipolair
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Technologie
HEXFET®
Thermische weerstand
62.5K/W
Vermogen
2W
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies