N-kanaaltransistor IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Behuizing: SO. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (max): 25uA. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 2. Aanval: 16.7nC. Aftapstroom: 4.9A. Afvoerbronspanning: 30V. Functie: 0.05R. ID s (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Polariteit: unipolair. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Thermische weerstand: 62.5K/W. Vermogen: 2W. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14