N-kanaaltransistor IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 400V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 170pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 6A. Kanaaltype: N. Kosten): 34pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14