N-kanaaltransistor IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V

N-kanaaltransistor IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
5.89€
Hoeveelheid in voorraad: 340

N-kanaaltransistor IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V. Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 18A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Markering van de fabrikant: F640NS. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Maximale temperatuur: +175°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF640NSTRLPBF
17 parameters
Behuizing
D²-PAK
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-263
Afvoerbronspanning Uds [V]
200V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.15 Ohms @ 11A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
1160pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
18A
Inschakeltijd ton [nsec.]
10 ns
Markering van de fabrikant
F640NS
Maximale dissipatie Ptot [W]
150W
Maximale temperatuur
+175°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
4 v
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
23 ns
Origineel product van fabrikant
Infineon