N-kanaaltransistor IRF620, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 260pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaaltype: N. Kosten): 100pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 7.2 ns. Td(uit): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14