N-kanaaltransistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanaaltransistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.37€
5-24
1.18€
25-49
1.06€
50-99
0.93€
100+
0.76€
Hoeveelheid in voorraad: 50

N-kanaaltransistor IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1400pF. Equivalenten: IRF540NSPBF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaaltype: N. Kosten): 330pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8.2 ns. Td(uit): 44 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF540NS
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
25A
ID (T=25°C)
33A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.052 Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1400pF
Equivalenten
IRF540NSPBF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaaltype
N
Kosten)
330pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
140W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
8.2 ns
Td(uit)
44 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
170 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier