N-kanaaltransistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V

N-kanaaltransistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.05€
5-24
0.89€
25-49
0.78€
50-99
0.70€
100+
0.58€
+25 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 149

N-kanaaltransistor IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 16.7nC. Aftapstroom: 9.7A. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 360pF. Conditionering: tubus. Functie: Lage invoerlading. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 3.1K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 37A. Kanaaltype: N. Kosten): 150pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 8.8 ns. Td(uit): 19 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 48W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF520
38 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
6.5A
ID (T=25°C)
9.2A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.27 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
16.7nC
Aftapstroom
9.7A
Afvoerbronspanning
100V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
360pF
Conditionering
tubus
Functie
Lage invoerlading
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
3.1K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
37A
Kanaaltype
N
Kosten)
150pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
60W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Td(aan)
8.8 ns
Td(uit)
19 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diode (min.)
110 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
48W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Vishay