N-kanaaltransistor IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V
| +10 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 117 |
N-kanaaltransistor IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Aanval: 8.3nC. Aftapstroom: 4A, 5.6A. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 180pF. Conditionering: tubus. Functie: -. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaaltype: N. Kosten): 81pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.54 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 6.9ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 43W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14