N-kanaaltransistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

N-kanaaltransistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.78€
5-24
2.42€
25-49
2.24€
50+
2.01€
Hoeveelheid in voorraad: 2

N-kanaaltransistor IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0048 Ohm. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 20V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 2150pF. Functie: Hoogfrequente synchrone buck. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 380A. Kanaaltype: N. Kosten): 680pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF3711ZS
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
65A
ID (T=25°C)
92A
Idss (max)
150uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.0048 Ohm
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
20V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
2150pF
Functie
Hoogfrequente synchrone buck
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
380A
Kanaaltype
N
Kosten)
680pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
79W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
16 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.45V
Vgs(th) min.
1.55V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier