N-kanaaltransistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

N-kanaaltransistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.18€
5-24
1.90€
25-49
1.69€
50+
1.49€
Hoeveelheid in voorraad: 39

N-kanaaltransistor IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.7M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 20V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 2980pF. Functie: Hoogfrequent geïsoleerde DC-DC. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 440A. Kanaaltype: N. Kosten): 1770pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF3711S
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
69A
ID (T=25°C)
110A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
4.7M Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
20V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
2980pF
Functie
Hoogfrequent geïsoleerde DC-DC
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
440A
Kanaaltype
N
Kosten)
1770pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
120W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
17 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
48 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier