N-kanaaltransistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanaaltransistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.25€
5-24
2.84€
25-49
2.51€
50-99
2.22€
100+
1.85€
Hoeveelheid in voorraad: 52

N-kanaaltransistor IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 3000pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaaltype: N. Kosten): 640pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 58 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF3710S
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
40A
ID (T=25°C)
57A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.025 Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
3000pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaaltype
N
Kosten)
640pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
58 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
210 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier