N-kanaaltransistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanaaltransistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.99€
5-24
1.68€
25-49
1.49€
50-99
1.34€
100+
1.16€
Hoeveelheid in voorraad: 112

N-kanaaltransistor IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 23m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 3230pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaaltype: N. Kosten): 420pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 49 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF3710
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
57A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
23m Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
3230pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaaltype
N
Kosten)
420pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
49 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
130 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier