N-kanaaltransistor IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-kanaaltransistor IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.70€
5-49
1.40€
50-99
1.19€
100+
1.06€
Hoeveelheid in voorraad: 83

N-kanaaltransistor IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 150V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1300pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 108A. Kanaaltype: N. Kosten): 300pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 9.6 ns. Td(uit): 49 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 174 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF3315
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
19A
ID (T=25°C)
27A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.07 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
150V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1300pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
108A
Kanaaltype
N
Kosten)
300pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
136W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
9.6 ns
Td(uit)
49 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
174 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier