N-kanaaltransistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

N-kanaaltransistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.86€
5-24
4.49€
25-49
4.17€
50-99
3.92€
100+
3.49€
Hoeveelheid in voorraad: 7

N-kanaaltransistor IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.019 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 6320pF. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 1020A. Kanaaltype: N. Kosten): 1980pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 24 ns. Td(uit): 48 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF2903ZS
28 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
180A
ID (T=25°C)
260A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.019 Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
6320pF
Functie
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
1020A
Kanaaltype
N
Kosten)
1980pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
290W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
24 ns
Td(uit)
48 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier