N-kanaaltransistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanaaltransistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.60€
5-24
2.20€
25-49
1.93€
50-99
1.76€
100+
1.50€
Hoeveelheid in voorraad: 63

N-kanaaltransistor IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0037 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4780pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 600A. Kanaaltype: N. Kosten): 770pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 48 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

IRF1405ZPBF
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
150A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.0037 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4780pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
600A
Kanaaltype
N
Kosten)
770pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
230W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Rds-on 0.0037 Ohms max
Td(aan)
18 ns
Td(uit)
48 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
30 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies