N-kanaaltransistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanaaltransistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.68€
5-24
2.30€
25-49
2.04€
50-99
1.85€
100+
1.59€
+10 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 95

N-kanaaltransistor IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0046 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 170nC. Aftapstroom: 133A. Afvoerbronspanning: 55V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 5480pF. Conditionering: tubus. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 450mK/W. ID s (min): 20uA. Id(imp): 680A. Kanaaltype: N. Kosten): 1210pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 130 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 88 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 200W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF1405
39 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
118A
ID (T=25°C)
169A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.0046 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
170nC
Aftapstroom
133A
Afvoerbronspanning
55V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
5480pF
Conditionering
tubus
Functie
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
450mK/W
ID s (min)
20uA
Id(imp)
680A
Kanaaltype
N
Kosten)
1210pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
330W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Spec info
Rds-on 0.0046 Ohms max
Td(aan)
13 ns
Td(uit)
130 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
88 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
200W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier