N-kanaaltransistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V

N-kanaaltransistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.00€
5-9
4.42€
10-24
4.03€
25-49
3.79€
50+
3.38€
Hoeveelheid in voorraad: 15

N-kanaaltransistor IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4340pF. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 750A. Kanaaltype: N. Kosten): 1030pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 220W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 36ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF1404S
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
130A
ID (T=25°C)
190A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
2.7M Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
40V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4340pF
Functie
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
750A
Kanaaltype
N
Kosten)
1030pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
220W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
18 ns
Td(uit)
36ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
28 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier