N-kanaaltransistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

N-kanaaltransistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.44€
5-24
2.13€
25-49
1.92€
50-99
1.75€
100+
1.54€
+15 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 105

N-kanaaltransistor IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aftapstroom: 202A. Afvoerbronspanning: 40V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 7360pF. Conditionering: tubus. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 750mK/W. ID s (min): 20uA. Id(imp): 650A. Kanaaltype: N. Kosten): 1680pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 200W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRF1404
37 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
115A
ID (T=25°C)
162A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
3.5m Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
40V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aftapstroom
202A
Afvoerbronspanning
40V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
7360pF
Conditionering
tubus
Functie
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
750mK/W
ID s (min)
20uA
Id(imp)
650A
Kanaaltype
N
Kosten)
1680pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
72 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
71 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
200W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier