N-kanaaltransistor IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V
| +1 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 38 |
N-kanaaltransistor IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2m Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 24V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 160nC. Aftapstroom: 353A. Afvoerbronspanning: 24V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 5790pF. Conditionering: tubus. Functie: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 500mK/W. ID s (min): 20uA. Id(imp): 1412A. Kanaaltype: N. Kosten): 3440pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 83 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 46 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 300W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14