N-kanaaltransistor IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V

N-kanaaltransistor IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.43€
5-24
3.92€
25-49
3.58€
50+
3.29€
Hoeveelheid in voorraad: 11

N-kanaaltransistor IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): HexSense TO-220F-5. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 5. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 130pF. Functie: Single FET, Dual Source. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaaltype: N. Kosten): 430pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 45 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IRC640
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
18A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.18 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
HexSense TO-220F-5
Spanning Vds(max)
200V
Aantal aansluitingen
5
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
130pF
Functie
Single FET, Dual Source
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
72A
Kanaaltype
N
Kosten)
430pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
125W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
45 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier