N-kanaaltransistor IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

N-kanaaltransistor IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.24€
5-24
1.97€
25-49
1.83€
50-99
1.71€
100+
1.48€
Hoeveelheid in voorraad: 35

N-kanaaltransistor IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1900pF. Functie: Logic Level, Enhancement mode. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.01uA. Id(imp): 200A. Kanaaltype: N. Kosten): 760pF. Markering op de kast: PN03L06. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 40 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:27

Technische documentatie (PDF)
IPD50N03S2L-06
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
50A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
27uA
Aan-weerstand Rds Aan
7.6m Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 )
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1900pF
Functie
Logic Level, Enhancement mode
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.01uA
Id(imp)
200A
Kanaaltype
N
Kosten)
760pF
Markering op de kast
PN03L06
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
136W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
10 ns
Td(uit)
40 ns
Technologie
OptiMOS® Power-Transistor
Trr-diode (min.)
40 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1.2V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies