N-kanaaltransistor IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v

N-kanaaltransistor IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.31€
5-24
1.13€
25-49
1.01€
50-99
0.93€
100+
0.81€
Hoeveelheid in voorraad: 5

N-kanaaltransistor IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Spanning Vds(max): 30 v. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2400pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.1uA. Id(imp): 350A. Kanaaltype: N. Kosten): 920pF. Markering op de kast: 050N03L. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.7 ns. Td(uit): 25 ns. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IPD050N03L-GATMA1
24 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
50A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.0058 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Spanning Vds(max)
30 v
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
2400pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.1uA
Id(imp)
350A
Kanaaltype
N
Kosten)
920pF
Markering op de kast
050N03L
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
68W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6.7 ns
Td(uit)
25 ns
Vgs(th) max.
2.2V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies