N-kanaaltransistor IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V

N-kanaaltransistor IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
43.08€
Hoeveelheid in voorraad: 50

N-kanaaltransistor IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V. Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 60.4k Ohms. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Markering van de fabrikant: -. Maximale dissipatie Ptot [W]: 313W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.3V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 128 ns. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IPB020N10N5LFATMA1
15 parameters
Behuizing
D²-PAK
Afvoerbronspanning Uds [V]
100V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.002 Ohms @ 100A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
840pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
60.4k Ohms
Inschakeltijd ton [nsec.]
7 ns
Maximale dissipatie Ptot [W]
313W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
3.3V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
128 ns
Origineel product van fabrikant
Infineon