N-kanaaltransistor IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO263-7. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Conditionering: rol. Kanaaltype: N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. RoHS: ja. Technologie: OptiMOS Power. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14