N-kanaaltransistor IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.83 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 785pF. Functie: ID pulse 18A. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaaltype: N. Kosten): 33pF. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 8R1K0CE. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14