N-kanaaltransistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V

N-kanaaltransistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.05€
5-24
2.71€
25-49
2.48€
50-99
2.26€
100+
1.95€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 1

N-kanaaltransistor IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 440pF. Functie: ID pulse 19A. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 19A. Kanaaltype: N. Kosten): 30pF. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 6R600E6. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 58 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IPA60R600E6
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.3A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.54 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP-3
Spanning Vds(max)
650V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
440pF
Functie
ID pulse 19A
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
19A
Kanaaltype
N
Kosten)
30pF
Let op
volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s)
Markering op de kast
6R600E6
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
28W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
10 ns
Td(uit)
58 ns
Technologie
Cool Mos E6 POWER trafnsistor
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies