N-kanaaltransistor IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. C(inch): 116pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 100A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Diodedrempelspanning: 1.65V. Functie: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 200A. Kanaaltype: N. Kosten): 2960pF. Markering op de kast: K50H603. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 333W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Td(aan): 23 ns. Td(uit): 235 ns. Trr-diode (min.): 130 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43