N-kanaaltransistor IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V

N-kanaaltransistor IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
16.72€
5-29
15.54€
30-59
14.50€
60-119
13.66€
120+
12.63€
Hoeveelheid in voorraad: 108

N-kanaaltransistor IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Behuizing: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing (volgens datablad): TO-247N. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. C(inch): 2330pF. CE-diode: ja. Collector-emitter-spanning: 1200V. Collectorstroom: 80A. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 180A. Ingebouwde diode: ja. Kanaaltype: N. Kosten): 185pF. Markering op de kast: K40H1203. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 483W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 30 ns. Td(uit): 290 ns. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: IGBT-transistor. Vermogen: 483W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43

Technische documentatie (PDF)
IKW40N120H3
29 parameters
Behuizing
TO-247
Ic(T=100°C)
40A
Behuizing (volgens datablad)
TO-247N
Collector-emitterspanning Vceo
1200V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-40...+175°C
C(inch)
2330pF
CE-diode
ja
Collector-emitter-spanning
1200V
Collectorstroom
80A
Functie
Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
180A
Ingebouwde diode
ja
Kanaaltype
N
Kosten)
185pF
Markering op de kast
K40H1203
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
483W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
5.8V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
30 ns
Td(uit)
290 ns
Trr-diode (min.)
200 ns
Type transistor
IGBT-transistor
Vermogen
483W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.05V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies