N-kanaaltransistor IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V

N-kanaaltransistor IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
12.06€
5-9
11.19€
10-29
10.61€
30-59
10.11€
60+
9.36€
Hoeveelheid in voorraad: 128

N-kanaaltransistor IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. C(inch): 1860pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 50A. Functie: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 75A. Kanaaltype: N. Kosten): 96pF. Markering op de kast: K25T120. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 50 ns. Td(uit): 560 ns. Trr-diode (min.): 200 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43

Technische documentatie (PDF)
IKW25T120
27 parameters
Ic(T=100°C)
25A
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247 ( AC )
Collector-emitterspanning Vceo
1200V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-40...+175°C
C(inch)
1860pF
CE-diode
ja
Collectorstroom
50A
Functie
Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
75A
Kanaaltype
N
Kosten)
96pF
Markering op de kast
K25T120
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
2.2V
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
190W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
5V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
6.5V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
50 ns
Td(uit)
560 ns
Trr-diode (min.)
200 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.7V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies