N-kanaaltransistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

N-kanaaltransistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.96€
5-24
3.43€
25-49
3.09€
50-99
2.86€
100+
2.54€
Hoeveelheid in voorraad: 89

N-kanaaltransistor IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. C(inch): 860pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 15A. Functie: Hoge snelheid IGBT in NPT-technologie. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 45A. Kanaaltype: N. Kosten): 55pF. Markering op de kast: K15T60. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 188 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
IKP15N60T
26 parameters
Ic(T=100°C)
15A
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220-3-1
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-40...+175°C
C(inch)
860pF
CE-diode
ja
Collectorstroom
15A
Functie
Hoge snelheid IGBT in NPT-technologie
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
45A
Kanaaltype
N
Kosten)
55pF
Markering op de kast
K15T60
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
2.05V
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
130W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
4.1V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
5.7V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
188 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.5V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies