N-kanaaltransistor IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. C(inch): 4620pF. CE-diode: nee. Collectorstroom: 140A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Zeer lage VCEsat. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 225A. Kanaaltype: N. Kosten): 240pF. Levertijd: KB. Markering op de kast: G75H603. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.25V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 428W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -technologie IGBT-transistor. Td(aan): 31 ns. Td(uit): 265 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43