N-kanaaltransistor HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

N-kanaaltransistor HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.88€
5-49
0.70€
50-99
0.59€
100+
0.53€
Hoeveelheid in voorraad: 50

N-kanaaltransistor HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 250pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Kanaaltype: N. Kosten): 100pF. Markering op de kast: 75307D. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 7 ns. Td(uit): 35 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Harris. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43

Technische documentatie (PDF)
HUF75307D3
28 parameters
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.09 Ohms
Behuizing
TO-251 ( I-Pak )
Behuizing (volgens datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
250pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Kanaaltype
N
Kosten)
100pF
Markering op de kast
75307D
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
35W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
7 ns
Td(uit)
35 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
45 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Harris