N-kanaaltransistor HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: ja. Collectorstroom: 25A. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 40A. Kanaaltype: N. Markering op de kast: 5N120BND. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.7V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 20 ns. Td(uit): 182 ns. Technologie: NPT-serie IGBT-transistor met anti-parallelle hypersnelle diode. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43