N-kanaaltransistor GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Behuizing: TO-3P( N )IS. Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Collectorstroom: 37A. Functie: Schakeltoepassingen met hoog vermogen. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 100A. Kanaaltype: N. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Poort-/emitterspanning VGE: 25V. RoHS: ja. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). Td(aan): 0.33 ns. Td(uit): 0.51 ns. Temperatuur: +150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43