N-kanaaltransistor GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. C(inch): 4650pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 30A. Functie: Schakeltoepassingen met hoog vermogen. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 60A. Kanaaltype: N. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.45V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). Td(aan): 0.09 ns. Td(uit): 0.3 ns. Temperatuur: +150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43